采用MOC3061的可控硅驱动电路图
作者：人气：2988发表时间：2014-10-26 8:29:38
MOC3061在热线开关中的应用电路如图2 所示, 在可控硅驱动中的实际电路如图3 所示。图中R1 为限流电阻,使输入的L ED电流分别为15mA (MOC3061 )、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式计算:
R1=(Vcc-Vf)/Ift
式中:
Vf为红外发光二极管的正向电压,一般取1.2V到1.4V.
Ift为红外发光二极管触发电流,可按表2选择,若工作温度在25度以下,Ift应适当增加.
R2 是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时, 门极阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干扰能力。
R3 是触发功率双向可控硅的限流电阻,其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流峰值决定,可按下式选取:
外39Ω 电阻和0. 01μF 电容组成浪涌吸收电路,防止浪涌电压损坏双向可控硅。建议用该电路驱动两个反并联(背对背)的可控硅开关(元件) ,图中稳压管可选用1N4001,电阻R2和R3 可选择300Ω。
在工业控制设备中，若有一组可控硅触发电路有故障，准确判断设备哪一部分或哪一组可控硅出问题，难度较大。采用图7-22所示检测电路很方便，简单实用，且能自动指示。
当可控硅触发脉冲正常时，VT1导通，C上的充电电压定时放电，使555的2脚总处于低电平（1/3＜VDD），555置位，LED2（绿色）灯亮；当可控硅触发脉冲消失或漏掉较多时，VT1截止或导通次数比原来少，C上的充电电压高于2/3VDD，555复位，3脚呈低电平，LED2灭，LED1（红）亮，表明有保障。
R1=(Vcc-Vf)/Ift
式中:
Vf为红外发光二极管的正向电压,一般取1.2V到1.4V.
Ift为红外发光二极管触发电流,可按表2选择,若工作温度在25度以下,Ift应适当增加.
R2 是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时, 门极阻抗也很高, 并上R2 可提高抗干扰能力。
R3 是触发功率双向可控硅的限流电阻,其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流峰值决定,可按下式选取:
外39Ω 电阻和0. 01μF 电容组成浪涌吸收电路,防止浪涌电压损坏双向可控硅。建议用该电路驱动两个反并联(背对背)的可控硅开关(元件) ,图中稳压管可选用1N4001,电阻R2和R3 可选择300Ω。
在工业控制设备中，若有一组可控硅触发电路有故障，准确判断设备哪一部分或哪一组可控硅出问题，难度较大。采用图7-22所示检测电路很方便，简单实用，且能自动指示。
当可控硅触发脉冲正常时，VT1导通，C上的充电电压定时放电，使555的2脚总处于低电平（1/3＜VDD），555置位，LED2（绿色）灯亮；当可控硅触发脉冲消失或漏掉较多时，VT1截止或导通次数比原来少，C上的充电电压高于2/3VDD，555复位，3脚呈低电平，LED2灭，LED1（红）亮，表明有保障。
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