新一代高结温微触发可控硅：让高温失控不成问题

        在市场上使用的微触发单向可控硅常常会遇到高温失控的问题，这让设计人员非常棘手。大多在直发器、卷发器等行业里，时常还会遇见产品在长时间使用过程中出现失控，低温情况下不触发。面对这种高温失控问题。一家微电子有限公司公司于2011年初推出了新一代系列高结温微触发单向可控硅产品，彻底的解决了高温失控的问题。这种可控硅是工业控制业和小家电出口产品行业高标准产品的理想之选。

     可控硅产品图



 高结温微触发可控硅产品特点：

    IGT<200μA，IGT随温度变化曲线在-20℃～+135℃表现非常平坦。Tj>135C°在高温环境中使用可靠性更高，可提高最终产品的耐热性能。使设备制造商能够选用更小的散热器以大幅度降低制造成本。

    下图为IGT-Tj与其他厂商产品对比实测曲线


下图为IGT/IGT25C°-TJ与其他厂商产品对比实测曲线



   产品参数详情：

    为了满足各种家用电器（白色家电）的需求，高结温微触发单向可控硅系列提供了IT=0.8A~16A，IGT=10uA~30uA，30uA~60uA,60uA~90uA，90uA~120uA,VDRM、VRRM＞600V~800V的系列产品。

    具体型号：

    HP08SH60E(0.8A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°TO-92)，

    HP08SH80E(0.8A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°，TO-92)

    HP2SH60E(1.5A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-92)

    HP2SH80E(1.5A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-92)

    HP4SH60B(4A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-126)

    HP4SH80B(4A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-126)

    HP4SH60D(4A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP4SH80D(4A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP4SH60D(4A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP4SH60V(4A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-251)

    HP4SH80V(4A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-251)

    HP4SH60F(4A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-202)

    HP4SH80F(4A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-202)

    HP4SH60R(4A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-220)

    HP4SH80R(4A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-220)

    HP6SH60D(6A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP6SH80D(6A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP8SH60D(8A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP8SH80D(8A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-252)

    HP8SH60R(8A,600V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-220)

    HP8SH80R(8A,800V,IGT<200μΑ，Tj=135C°,TO-220)

    可替代常规型号：MCR100-6，MCR100-8，MCR22-6，MCR22-8

    X0402MF,X0405MF，X0409MF,CR5AS,C106D,C106M,MCR106-6，MCR106-8

    TS420-600B,TS820-600B,MCR72-6，MCR72-8等系列微触发可控硅。