可控硅模块的过电流保护
作者：人气：1897发表时间：2014-10-26 8:29:40
可控硅模块的过电流保护
当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、
负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。由于晶闸管的过流能力比一般电气设备低得多，
因此，必须对晶闸管采取过电流保护措施。
晶闸管装置中可能采用的几种过电流保护措施如图四，分别是：
※交流进线串接漏抗大的整流变压器（图四A）：
利用电抗限制短路电流，但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
※电检测和过流继电器（图四C）
电流检测是用取样电流与设定值进行比较，当取样电流超过设定值时，比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以
减少电流。有时须停机。
※直流快速开关（图四G）
对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器
断开而保护了晶闸管，但价格昂贵使用不多。
※快速熔断器（图四B、D、E）
与普通熔断器比较，快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件，它具有快速熔断的特性，在
流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。
快速熔断器可接在交流侧（B）、直流侧（E）或与晶闸管桥臂串联（D），后者直接效果最好。一般说来快速熔
断器额定电流值（有效值IRD）应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同时要大于流
过晶闸管的实际通态方均根电流（即有效值）IRMS。
即： 1.57ITAV≥IRD≥IRMS
当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、
负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。由于晶闸管的过流能力比一般电气设备低得多，
因此，必须对晶闸管采取过电流保护措施。
晶闸管装置中可能采用的几种过电流保护措施如图四，分别是：
※交流进线串接漏抗大的整流变压器（图四A）：
利用电抗限制短路电流，但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
※电检测和过流继电器（图四C）
电流检测是用取样电流与设定值进行比较，当取样电流超过设定值时，比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以
减少电流。有时须停机。
※直流快速开关（图四G）
对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器
断开而保护了晶闸管，但价格昂贵使用不多。
※快速熔断器（图四B、D、E）
与普通熔断器比较，快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件，它具有快速熔断的特性，在
流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。
快速熔断器可接在交流侧（B）、直流侧（E）或与晶闸管桥臂串联（D），后者直接效果最好。一般说来快速熔
断器额定电流值（有效值IRD）应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同时要大于流
过晶闸管的实际通态方均根电流（即有效值）IRMS。
即： 1.57ITAV≥IRD≥IRMS
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